Infineon hat die Entwicklung der weltweit ersten 300 mm Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik bekannt gegeben. Infineon ist das erste Unternehmen weltweit, das diese bahnbrechende Technologie in einer bestehenden, skalierbaren Massenproduktion beherrscht. Dieser Durchbruch wird die Entwicklung des Marktes für Leistungshalbleiter auf Basis von GaN entscheidend vorantreiben. Leistungshalbleiter auf GaN-Basis finden zügige Verbreitung in den Bereichen Industrie, Automotive sowie Konsumenten-, Rechen- und Kommunikationsanwendungen („Consumer, Computing & Communications“).
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