Kooperation : Den wachsenden Bedarf an GaN-Leistungshalbleitern decken
Bei vielen Designs bietet Galliumnitrid (GaN) wesentliche Vorzüge gegenüber Silizium. Aufgrund des hervorragenden spezifischen, dynamischen Durchlasswiderstands und kleinerer Kapazitäten im Vergleich zu Silizium-MOSFETs, eignen sich GaN-HEMTs für Hochgeschwindigkeits-Schaltvorgänge. Die daraus resultierenden Stromeinsparungen und die Senkung der Gesamtsystemkosten, der Betrieb bei höheren Frequenzen, die verbesserte Leistungsdichte sowie die Gesamtsystemeffizienz soll Entwicklungsingenieuren neue Optionen eröffnen. „Neben den gleichen hohen Zuverlässigkeitsstandards wie für Gen1 profitieren die Kunden der neuen Generation von einer noch einfacheren Steuerung des Transistors sowie einer wesentlich besseren Kostenposition durch die Umstellung auf eine 8-Zoll-Waferfertigung,“ sagt Andreas Urschitz, Divisionspräsident Power and Sensor Systems bei Infineon.
Eine langfristig zuverlässige Lösung
Wie die gemeinsam entwickelten Gen1-Bauelemente mit den Bezeichnungen Infineon CoolGaN und Panasonic X-GaN basiert auch die zweite Generation auf der selbstsperrenden GaN-on-Silicon-Transistorstruktur. Dies, zusammen mit der Robustheit der Hybrid-Drain-Embedded-Gate-Injection-Transistor-(HD-GIT-)Struktur, machen die Komponenten zu einer langfristig zuverlässigen Lösung. „Wir freuen uns über die Erweiterung unserer Partnerschaft und Zusammenarbeit mit Infineon bei GaN-Komponenten. Im Rahmen des gemeinsamen Konzepts können wir Gen1- und Gen2-Bauteile mit hoher Qualität und auf der Basis neuester innovativer Entwicklungen anwenden“, so Tetsuzo Ueda, Associate Director of Engineering Division in der Industrial Solutions Company der Panasonic Corporation.
Die Markteinführung der neuen 650- V-GaN-Gen2-Bauteile ist für das erste Halbjahr 2023 geplant.