Rutronik : Höhere Stromtragfähigkeit für geringere BOM
Diese neue Technologie bietet einen um 40 Prozent verbesserten RDS(on) und eine um über 50 Prozent niedrigere Gate-Ladung (Qg) im Vergleich zu den bisherigen StrongIRFETTM- Bauelementen. Höhere Nennströme ermöglichen eine höhere Strombelastbarkeit, damit ist es nicht mehr nötig, mehrere Bauelemente parallel zu schalten. Das führt zu niedrigeren Stücklistenkosten und Einsparungen auf der Leiterplatte.
Im industriellen Umfeld genauso zuhause wie im Consumer-Bereich
Durch verschiedene Gehäusetypen (TO-220 FullPAK; ab CY2022 zusätzlich: D 2PAK, D 2PAK 7-pin und DPAK), finden sich passende StrongIRFETTM 2 für nahezu alle Anforderungen.
Die robusten Leistungs-MOSFETs eignen sich für ein umfangreiches Spektrum an Anwendungen, etwa im industriellen und Automotive Umfeld, wie Robotik, Motorantriebe, Batterie-Management und leichte Elektrofahrzeuge, aber auch für Endverbraucher, z.B. für Adapter, Fernsehgeräte, Elektrowerkzeuge und Gartengeräte.
Die Infineon StrongIRFETTM 2 Leistungs-MOSFETs sind unter www.rutronik24.com erhältlich.