Rohm : Dual-MOSFETs mit branchenweit niedrigstem Einschaltwiderstand
Zur Unterstützung dieser 24-V-Eingänge werden in zunehmendem Maße MOSFETs mit einer Spannungsfestigkeit von 40 V und 60 V verwendet, die eine ausreichende Toleranz gegenüber Spannungsschwankungen gewährleisten. Die steigende Nachfrage nach mehr Effizienz und weiterer Miniaturisierung von Motoren erfordert von MOSFETs zudem höhere Schaltgeschwindigkeiten und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Modelle nun in zwölf Varianten verfügbar
Vor diesem Hintergrund entwickelte Rohm die sechste Generation seiner 40 V/60 V-MOSFETs, bei denen die neuesten Präzisionsprozesse für N-Kanal-MOSFETs zum Einsatz kommen. Ende 2020 hatte das Unternehmen bereits die neueste P-Kanal-MOSFET-Generation vorgestellt. Diese Kombination erlaubt es ROHM, Dual-MOSFETs mit N- und P-Kanälen und einer Spannungsfestigkeit von ±40 V/±60 V anzubieten. Zur Abdeckung eines noch breiteren Anforderungsspektrums hat das Unternehmen die QH8Kxx/SH8Kxx-Serie mit zwei N-Kanälen und einer Spannungsfestigkeit von +40 V/+60 V entwickelt. Insgesamt stehen zwölf N-Kanal/P-Kanal- und N-Kanal/N-Kanal-MOSFET-Modelle zur Verfügung.
Branchenweit niedrigster Einschaltwiderstand
Basierend auf den neuesten Prozessen von Rohm erreicht die QH8Mx5/SH8Mx5-Serie den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand, der um 61 Prozent niedriger ist als der von P-Kanal-MOSFETs in Dual-MOSFET-Produkten der ±40-V-Klasse. Dies verringert die Leistungsaufnahme in einer Vielzahl von Anwendungen. Die Integration von zwei Bauelementen in einem Gehäuse trägt zur weiteren Miniaturisierung bei, da die Montagefläche verringert und der Aufwand für die Auswahl der Komponenten (Kombination von N-Kanal und P-Kanal) reduziert wird.
Anschließend wird Rohm die Produktpalette um 100-V- und 150-V-Produkte für Industrieanlagen erweitern, die höhere Spannungen erfordern. Damit will das Unternehmen die Anforderungen des Marktes an eine geringere Leistungsaufnahme und weitere Miniaturisierung in unterschiedlichen Einsatzbereichen erfüllen.